Infineon, MOSFET, N-Kanal Enkelt, 10.9 A, 8 Ben, PG-TDSON-8 1 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 273-5239
- Producentens varenummer:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 31.630,00
(ekskl. moms)
Kr. 39.540,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 6,326 | Kr. 31.630,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5239
- Producentens varenummer:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 10.9A | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 8 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.1mm | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 10.9A | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Antal transistorer 1 | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 8 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.1mm | ||
Bredde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Højde 1.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en N-kanal MOSFET med en driftstemperatur på 150 grader Celsius. Det er en optimeret til dc til dc konvertering. Denne MOSFET er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer. Denne MOSFET er halogenfri i overensstemmelse med IEC61249 2 21-standarden.
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Lav modstand ved tændt
Fremragende gate opladning
Relaterede links
- Infineon N-Kanal Enkelt 8 Ben, PG-TDSON-8 1 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 8 Ben, PG-TDSON-8 1 Hulmontering
- Infineon IGBT 8 Ben, PG-DSO-8-59
- Infineon N-Kanal 18 A 100 V N PG-TDSON-8, OptiMOS-TM3
- Infineon N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 142 A 135 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC