STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT027H65G3AG

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 137.712,00

(ekskl. moms)

Kr. 172.140,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 137,712Kr. 137.712,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-954
Producentens varenummer:
SCT027H65G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCT

Emballagetype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48.6nC

Gennemgangsspænding Vf

2.9V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.25mm

Standarder/godkendelser

RoHS, AEC-Q101

Bredde

10.4 mm

Højde

4.8mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links