STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT040H120G3AG

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 135.222,00

(ekskl. moms)

Kr. 169.028,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 03. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 135,222Kr. 135.222,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-231
Producentens varenummer:
SCT040H120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

SCT

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

2.6V

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.25mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, RoHS

Højde

4.8mm

Bredde

10.4 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links