STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT040H120G3AG
- RS-varenummer:
- 215-231
- Producentens varenummer:
- SCT040H120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 135.222,00
(ekskl. moms)
Kr. 169.028,00
(inkl. moms)
Tilføj 1000 enheder for at opnå gratis levering
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 135,222 | Kr. 135.222,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-231
- Producentens varenummer:
- SCT040H120G3AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.8mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Længde | 15.25mm | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.8mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Længde 15.25mm | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101 SCT025H120G3-7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 900 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101