STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT SCT070H120G3-7
- RS-varenummer:
- 214-960
- Producentens varenummer:
- SCT070H120G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 79.689,00
(ekskl. moms)
Kr. 99.611,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 79,689 | Kr. 79.689,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-960
- Producentens varenummer:
- SCT070H120G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 63mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 224W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Længde | 15.25mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 63mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 224W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Længde 15.25mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 1200 V H2PAK-7, SCT SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 1200 V H2PAK-7, SCT SCT070H120G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V H2PAK-7, SCT SCT040H120G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V Depletion H2PAK-7, SCT SCTH40N120G2V7AG
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 900 V H2PAK-7, SCT SCT012H90G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 650 V H2PAK-7, SCT SCT027H65G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V H2PAK-7, SCT SCT018H65G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 1200 V H2PAK-7 SCTH60N120G2-7