STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT SCT070H120G3-7
- RS-varenummer:
- 214-960
- Producentens varenummer:
- SCT070H120G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 79.689,00
(ekskl. moms)
Kr. 99.611,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 79,689 | Kr. 79.689,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-960
- Producentens varenummer:
- SCT070H120G3-7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Emballagetype | H2PAK-7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 63mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 224W | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 15.25mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Emballagetype H2PAK-7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 63mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 224W | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 15.25mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.
Høj hastighed ved skift
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT040H120G3AG
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101 SCT025H120G3-7
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V Depletion H2PAK-7, SCT SCTH40N120G2V7AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 1200 V Udtømning H2PAK, SCT