STMicroelectronics, MOSFET, 55 A 1200 V, H2PAK-7, SCT AEC-Q101 SCT025H120G3-7

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 149.361,00

(ekskl. moms)

Kr. 186.701,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 149,361Kr. 149.361,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
365-165
Producentens varenummer:
SCT025H120G3-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

H2PAK-7

Serie

SCT

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

25 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

AEC-Q101 kvalificeret

Meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Source sensing pin for øget effektivitet

Relaterede links