Infineon N-Kanal, MOSFET, 205 A 100 V, 3 ben, PG-TO220-3, OptiMOS IPP018N10N5XKSA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
284-684
Producentens varenummer:
IPP018N10N5XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

205 A

Drain source spænding maks.

100 V

Serie

OptiMOS

Kapslingstype

PG-TO220-3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Kanalform

Enhancement

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

SiC

Infineon MOSFET med OptiMOS 5 Power Transistor revolutionerer effektiviteten i højfrekvensapplikationer og leverer enestående ydeevne uden at gå på kompromis. Denne N-kanal-MOSFET er designet specielt til krævende industrielle miljøer og udmærker sig ved strømstyring og termisk stabilitet. Med en robust modstandsdygtighed og en imponerende maksimal driftstemperatur på 175 °C håndterer den effektivt store belastninger, hvilket gør den til et ideelt valg til forskellige anvendelser. Dens avancerede funktioner sikrer optimal skifteydelse, hvilket forbedrer din elektroniks samlede pålidelighed betydeligt.

Optimeret til højfrekvente skift
N-kanal-design øger strømeffektiviteten
Lav modstand sikrer overlegen ydeevne
Holdbar struktur modstår ekstreme temperaturer
Pb-fri og RoHS-kompatibel af hensyn til sikkerheden
Kvalificeret til industrielle applikationer i henhold til JEDEC

Relaterede links