ROHM, MOSFET, 10 A 80 V, 8 Ben, HSMT-8, RQ3N Nej RQ3N040ATTB1
- RS-varenummer:
- 329-148
- Producentens varenummer:
- RQ3N040ATTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 36,95
(ekskl. moms)
Kr. 46,19
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,695 | Kr. 36,95 |
| 100 - 240 | Kr. 3,508 | Kr. 35,08 |
| 250 - 490 | Kr. 3,246 | Kr. 32,46 |
| 500 - 990 | Kr. 2,999 | Kr. 29,99 |
| 1000 + | Kr. 2,872 | Kr. 28,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 329-148
- Producentens varenummer:
- RQ3N040ATTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | RQ3N | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 126mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 15W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie RQ3N | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 126mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 15W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET er en pakke med lav tændingsmodstand og høj effekt, der er velegnet til switching og motordrev. Den har lav on-modstand og en indbygget gate-source-beskyttelsesdiode, som gør den velegnet til brug i DC-DC-konvertere og andre strømstyringskredsløb.
Højtydende lille formpakke
Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel
100 procent Rg og UIS-testet
Halogenfri
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 65 A 80 V Udtømning HSMT-8, RH Nej RH6N040BHTB1
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8MD5HT Nej HT8MD5HTB1
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RQ3 Nej RQ3L060BGTB1
- ROHM 2 Type N-Kanal 10 A 60 V Forbedring HSMT-8, HP8 Nej HT8KC5TB1
- ROHM Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring HSMT-8, RQ3 Nej RQ3L070BGTB1
- ROHM Type N-Kanal 39 A 100 V Forbedring HSMT Nej RQ3P300BHTB1
- ROHM Type N-Kanal 25 A 150 V Forbedring HSMT, RH6R025BH Nej
- ROHM 1 Type P-Kanal 15 A 40 V Udtømning HSMT-8, HT8KB6 Nej HT8KB6TB1
