ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, MPT3, R4P AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 646-552
- Producentens varenummer:
- R4P030N03HZGT100
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, på en tape med 10)*
Kr. 26,11
(ekskl. moms)
Kr. 32,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 2,611 | Kr. 26,11 |
| 100 - 240 | Kr. 2,289 | Kr. 22,89 |
| 250 - 990 | Kr. 2,064 | Kr. 20,64 |
| 1000 - 4990 | Kr. 1,668 | Kr. 16,68 |
| 5000 + | Kr. 1,623 | Kr. 16,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 646-552
- Producentens varenummer:
- R4P030N03HZGT100
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | MPT3 | |
| Serie | R4P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4.3mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype MPT3 | ||
Serie R4P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4.3mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM 4 volt drev N-kanal metaloxid halvleder felttransistor har lav modstand ved tænding og understøtter 4 volt drevdrift.
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 2 A 60 V Forbedring MPT3, R4P AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 2 A 60 V Forbedring MPT3, R2P AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 6 A 40 V Forbedring TSMT-3, RQ5 AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-252, RD3 AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TO-252, RD3 AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 59 A 100 V Forbedring TO-252, AG096F AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252, AG085FG AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252, AG084F AEC-Q101