ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 60 V Forbedring, 3 Ben, MPT3, R2P AEC-Q101 R2P020N06HZGT100
- RS-varenummer:
- 646-553
- Producentens varenummer:
- R2P020N06HZGT100
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 25,88
(ekskl. moms)
Kr. 32,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 2,588 | Kr. 25,88 |
| 100 - 240 | Kr. 2,274 | Kr. 22,74 |
| 250 - 990 | Kr. 2,05 | Kr. 20,50 |
| 1000 - 4990 | Kr. 1,661 | Kr. 16,61 |
| 5000 + | Kr. 1,616 | Kr. 16,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 646-553
- Producentens varenummer:
- R2P020N06HZGT100
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | MPT3 | |
| Serie | R2P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 240mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±12 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.70 mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 4.30mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype MPT3 | ||
Serie R2P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 240mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±12 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.70 mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 4.30mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanal 60 volt 2 ampere medium-effekt metaloxid halvleder felttransistor har lav modstand ved tænding og understøtter lavspændingsdrev med 2-punkts 5 volt drift.
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 2 A 60 V MPT3, R4P R4P020N06HZGT100
- ROHM N-Kanal 3 A 30 V MPT3, R4P R4P030N03HZGT100
- ROHM N-Kanal 60 A 150 V, HSOP8S RS6R060BHTB1
- ROHM N-Kanal 60 A 100 V, HSOP8 RS6P060BHTB1
- ROHM N-Kanal 7 A 60 V, HUML2020L8 RF4L070BGTCR
- ROHM N-Kanal 90 A 60 V, HSOP8 RS6L090BGTB1
- ROHM N-Kanal 150 A 60 V, HSOP8 RS6L120BGTB1
- ROHM N-Kanal 5 TSMT-8 RQ7L055BGTCR
