ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 6 Ben, DFN2020Y7LSAA, RF9P120BKFRA AEC-Q101 RF9P120BKFRATCR
- RS-varenummer:
- 687-387
- Producentens varenummer:
- RF9P120BKFRATCR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 21,54
(ekskl. moms)
Kr. 26,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 10,77 | Kr. 21,54 |
| 20 - 48 | Kr. 9,46 | Kr. 18,92 |
| 50 - 198 | Kr. 8,525 | Kr. 17,05 |
| 200 - 998 | Kr. 6,805 | Kr. 13,61 |
| 1000 + | Kr. 6,73 | Kr. 13,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-387
- Producentens varenummer:
- RF9P120BKFRATCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | DFN2020Y7LSAA | |
| Serie | RF9P120BKFRA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 23W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.65mm | |
| Længde | 2.1mm | |
| Bredde | 2.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype DFN2020Y7LSAA | ||
Serie RF9P120BKFRA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 23W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.65mm | ||
Længde 2.1mm | ||
Bredde 2.1 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til effektiv omskiftning i forskellige anvendelser, herunder biler, belysning og karrosserielektronik. Denne komponent er udviklet til at understøtte en robust kontinuerlig drain-strøm på ±12 A og en maksimal drain-source-spænding på 100 V og udmærker sig i miljøer, der kræver pålidelighed og effektivitet. Dens avancerede design har lav modstand ved tænding og høj effekttæthed, hvilket sikrer optimal ydeevne i overensstemmelse med AEC-Q101-standarder og RoHS-bestemmelser. Det kompakte DFN2020Y7LSAA-hus muliggør yderligere nem integration i pladsbegrænsede design, hvilket gør det til et alsidigt valg til moderne elektroniske løsninger.
AEC Q101-kvalificeret til brug i biler, hvilket sikrer pålidelighed
Lav modstand ved tænding (RDS(on)), hvilket forbedrer effektiviteten under drift
Understøtter en drain-source-spænding på 100 V, der er velegnet til højspændingsanvendelser
Kontinuerlig afløbsstrøm på ±12 A, der er i stand til at håndtere krævende belastninger
Har blyfri belægning, der sikrer overholdelse af miljøstandarder
Halogenfri, hvilket bidrager til miljøvenligt produktdesign
Høj effekttæthed med et maksimalt effekttab på 23 W, der optimerer den termiske ydeevne
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RH7G04CBKFRA AEC-Q101 RH7G04CBKFRATCB
- ROHM Type P-Kanal 8 Ben RH7G04CBJFRA AEC-Q101 RH7G04CBJFRATCB
- ROHM Type P-Kanal 8 Ben RH7G04BBJFRAT AEC-Q101 RH7G04BBJFRATCB
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R2P AEC-Q101 R2P020N06HZGT100
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R4P AEC-Q101 R4P030N03HZGT100
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R4P AEC-Q101 R4P020N06HZGT100
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3 AEC-Q101 RD3L04BBLHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 8 Ben RV4 AEC-Q101 RV4C060ZPHZGTCR1
