ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET-arrays, 12.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KE6 Nej HT8KE6HTB1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 58,42

(ekskl. moms)

Kr. 73,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 5,842Kr. 58,42
100 - 490Kr. 5,146Kr. 51,46
500 - 990Kr. 4,615Kr. 46,15
1000 +Kr. 3,65Kr. 36,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
646-615
Producentens varenummer:
HT8KE6HTB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET-arrays

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12.5A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSMT-8

Serie

HT8KE6

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

14W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.3nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS, Halogen Free, Pb Free

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM Power MOSFET med lav modstand ved tænding og lille støbehus med høj effekt, der er velegnet til skifte- og motordrev.

Pb-fri belægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri

100 % Rg- og UIS-testet

Relaterede links