ROHM 2 N-Kanal, MOSFET-arrays, 12.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KE6
- RS-varenummer:
- 646-615
- Producentens varenummer:
- HT8KE6HTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 58,42
(ekskl. moms)
Kr. 73,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,842 | Kr. 58,42 |
| 100 - 490 | Kr. 5,146 | Kr. 51,46 |
| 500 - 990 | Kr. 4,615 | Kr. 46,15 |
| 1000 + | Kr. 3,65 | Kr. 36,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 646-615
- Producentens varenummer:
- HT8KE6HTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KE6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 14W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Halogen Free, Pb Free | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Serie HT8KE6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 14W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Halogen Free, Pb Free | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET med lav modstand ved tænding og lille støbehus med høj effekt, der er velegnet til skifte- og motordrev.
Pb-fri belægning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
100 % Rg- og UIS-testet
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 39 A 100 V Forbedring HSMT
- ROHM N-Kanal 15.5 A 60 V Forbedring HSMT-8, RQ3
- ROHM N-Kanal 20 A 60 V Forbedring HSMT-8, RQ3
- ROHM 2 N-Kanal 13 A 100 V Forbedring HSMT-8, HT8K
- ROHM 1 N-Kanal 125 A 30 V Forbedring HSMT-8, R65
- ROHM 1 N-Kanal 65 A 60 V Forbedring HSMT-8, RH6
- ROHM 2 N-Kanal 15 A 60 V Forbedring HSMT-8, HT8
- ROHM 2 N-Kanal 7 A 100 V Forbedring HSMT-8, HT8K