ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 390 A 30 V Forbedring, 8 Ben, DFN5060-8S, RS7E200
- RS-varenummer:
- 646-623
- Producentens varenummer:
- RS7E200BGTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 43,08
(ekskl. moms)
Kr. 53,84
(inkl. moms)
Tilføj 28 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 21,54 | Kr. 43,08 |
| 20 - 98 | Kr. 18,925 | Kr. 37,85 |
| 100 - 198 | Kr. 17,015 | Kr. 34,03 |
| 200 + | Kr. 13,50 | Kr. 27,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 646-623
- Producentens varenummer:
- RS7E200BGTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 390A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | DFN5060-8S | |
| Serie | RS7E200 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.67mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 135nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 180W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb Free, Halogen Free, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 390A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype DFN5060-8S | ||
Serie RS7E200 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.67mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 135nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 180W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Pb Free, Halogen Free, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET med lav modstand ved tænding og høj effekthus, der er velegnet til omskiftning, motordrev og DC/DC-konverter.
Pb-fri belægning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
100 % Rg- og UIS-testet
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 160 A 80 V Forbedring DFN5060-8S, RS7N160
- ROHM Type N-Kanal 230 A 80 V Forbedring DFN5060-8S, RS7N200
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RY7P250BM
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RS6G122CH
- ROHM Type N-Kanal 22 Ben AW2K21
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HP8KF7H
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R8019KNZ4
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8MD5HT
