Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 8 A 800 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, EF Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 26,78

(ekskl. moms)

Kr. 33,48

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 26,78
10 +Kr. 25,96

*Vejledende pris

RS-varenummer:
653-140
Producentens varenummer:
SIHP11N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

EF

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.483Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

78W

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay Power MOSFET er designet til højspændings-switching-anvendelser. Den har en hurtig husdiode, lav fortjeneste (FOM) og reduceret effektiv kapacitet for forbedret effektivitet. Den er indkapslet i et TO-220AB hus og er velegnet til server-, telekommunikations-, SMPS- og effektfaktorkorrektionsforsyninger.

Pb-fri

Halogenfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links