Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*

Kr. 570,00

(ekskl. moms)

Kr. 712,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 850 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 11,40Kr. 570,00
100 - 200Kr. 10,716Kr. 535,80
250 - 450Kr. 9,691Kr. 484,55
500 - 1200Kr. 9,12Kr. 456,00
1250 +Kr. 8,551Kr. 427,55

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-4991
Producentens varenummer:
SIHP15N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

304mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Portkildespænding maks.

30V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

156W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

9.96mm

Længde

27.69mm

Højde

4.24mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source-spænding, 13 A kontinuerlig drain-strøm - SIHP15N80AE-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til montering gennem hul i strømkonverterings- og styringskredsløb. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver høj spændingsmodstand, moderat kontinuerlig strømkapacitet og gate-drevet skift af forbedringstilstand. Enheden leveres i en TO-220AB-pakke med tre ben til konventionel kort- eller kølepladeinstallation.

Egenskaber og fordele:


• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 13 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastningsforsyning
• 304 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab ved omskiftning
• 156 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 53 nC total gate-opladning holder gate-drevkravene forudsigelige
• 30 V gate-source-tolerance giver mulighed for robuste drevspændingsmargener

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Anvendes til snubber- og klemmekredsløb i industrielle invertere
• Ideel til effekttrin med omskifter i lysstyringssystemer
• Kan bruges til frontender med gennemgående hulmontering til motordrev
• Anvendes sammen med laboratorieprøveanlæg, der kræver høj spændingshåndtering

Hvilket omgivelsesområde kan den tolerere i krævende installationer?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i både kolde og høje temperaturer.

Hvordan er komponenten monteret for effektiv varmeafledning?


TO-220AB-pakken er designet til montering med gennemgående huller og kan monteres på en køleplade for forbedret termisk ydeevne.

Hvilken type kanal og ledningstilstand anvender den?


Enheden er en N-kanal-forbedringstilstand MOSFET, der kræver et positivt gate-drev til ledning.

Hvilke elektriske egenskaber bestemmer skiftespændingsfaldet?


Den fremadgående spændingsparameter på 1,2 V er indikator for enhedens ledningsspændingsadfærd under fremadgående strømstrøm.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.