Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E
- RS-varenummer:
- 210-4991
- Producentens varenummer:
- SIHP15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 570,00
(ekskl. moms)
Kr. 712,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 850 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 11,40 | Kr. 570,00 |
| 100 - 200 | Kr. 10,716 | Kr. 535,80 |
| 250 - 450 | Kr. 9,691 | Kr. 484,55 |
| 500 - 1200 | Kr. 9,12 | Kr. 456,00 |
| 1250 + | Kr. 8,551 | Kr. 427,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4991
- Producentens varenummer:
- SIHP15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 304mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 9.96mm | |
| Længde | 27.69mm | |
| Højde | 4.24mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 304mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 9.96mm | ||
Længde 27.69mm | ||
Højde 4.24mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source-spænding, 13 A kontinuerlig drain-strøm - SIHP15N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til montering gennem hul i strømkonverterings- og styringskredsløb. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver høj spændingsmodstand, moderat kontinuerlig strømkapacitet og gate-drevet skift af forbedringstilstand. Enheden leveres i en TO-220AB-pakke med tre ben til konventionel kort- eller kølepladeinstallation.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 13 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastningsforsyning
• 304 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab ved omskiftning
• 156 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 53 nC total gate-opladning holder gate-drevkravene forudsigelige
• 30 V gate-source-tolerance giver mulighed for robuste drevspændingsmargener
• 13 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastningsforsyning
• 304 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab ved omskiftning
• 156 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 53 nC total gate-opladning holder gate-drevkravene forudsigelige
• 30 V gate-source-tolerance giver mulighed for robuste drevspændingsmargener
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Anvendes til snubber- og klemmekredsløb i industrielle invertere
• Ideel til effekttrin med omskifter i lysstyringssystemer
• Kan bruges til frontender med gennemgående hulmontering til motordrev
• Anvendes sammen med laboratorieprøveanlæg, der kræver høj spændingshåndtering
• Anvendes til snubber- og klemmekredsløb i industrielle invertere
• Ideel til effekttrin med omskifter i lysstyringssystemer
• Kan bruges til frontender med gennemgående hulmontering til motordrev
• Anvendes sammen med laboratorieprøveanlæg, der kræver høj spændingshåndtering
Hvilket omgivelsesområde kan den tolerere i krævende installationer?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i både kolde og høje temperaturer.
Hvordan er komponenten monteret for effektiv varmeafledning?
TO-220AB-pakken er designet til montering med gennemgående huller og kan monteres på en køleplade for forbedret termisk ydeevne.
Hvilken type kanal og ledningstilstand anvender den?
Enheden er en N-kanal-forbedringstilstand MOSFET, der kræver et positivt gate-drev til ledning.
Hvilke elektriske egenskaber bestemmer skiftespændingsfaldet?
Den fremadgående spændingsparameter på 1,2 V er indikator for enhedens ledningsspændingsadfærd under fremadgående strømstrøm.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 4.4 A 800 V JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 20 A 800 V JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE30
- Vishay N-Kanal 18 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
