Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E
- RS-varenummer:
- 210-4991
- Producentens varenummer:
- SIHP15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 570,00
(ekskl. moms)
Kr. 712,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 11,40 | Kr. 570,00 |
| 100 - 200 | Kr. 10,716 | Kr. 535,80 |
| 250 - 450 | Kr. 9,691 | Kr. 484,55 |
| 500 - 1200 | Kr. 9,12 | Kr. 456,00 |
| 1250 + | Kr. 8,551 | Kr. 427,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4991
- Producentens varenummer:
- SIHP15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 304mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 27.69mm | |
| Højde | 4.24mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 9.96mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie E | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 304mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 27.69mm | ||
Højde 4.24mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 9.96mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V maksimal drain-kildespænding, 13 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHP15N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalforbedringsenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsroller i industrielle og elektroniske systemer. Den er bygget til montering gennem hul i en TO-220AB-pakke og understøtter krævende termiske og elektriske miljøer, hvilket giver en balance mellem spændingstolerance og strømhåndtering til brug i controllere, omformere og effekttrin.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-kilde-spænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 13 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme • 304 mΩ modstand ved tænding minimerer ledningstab • 156 W effekttab muliggør betydelig termisk gennemgang • 53 nC typisk gate-ladning giver mulighed for kontrolleret skiftedynamik • 30 V gate-source-grænse sikrer robust gate-drive-margen
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Ideel til industrielle motordrevfrontender • Anvendes til primære kontakter til switch-mode strømforsyning • Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin • Anvendes sammen med gate-drivere i inverterdesign med mellemstor effekt
Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?
Den fungerer over -55 °C til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i et bredt område af omgivende og høje driftstemperaturer.
Hvilken monteringstype kræves der til montering?
Den er beregnet til montering med gennemgående huller på et printkort ved hjælp af TO-220AB-pakken og dens tre ben.
Hvilke hensyn til gate-driver skal overholdes?
Hold gate-drev inden for ±30 V maks. og regnskab for typisk 53 nC gate-ladning, når du dimensionerer driverstrøm for den ønskede skiftehastighed.
Hvordan skal termisk styring håndteres for pålidelig drift?
Brug en passende køleplade eller termisk interface til at opretholde samlingstemperaturer under nominelle grænser på grund af 156 W tabskapacitet og anvendelsesspecifikke driftscyklusser.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 7.5 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V TO-220, E