Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 210-4991
- Producentens varenummer:
- SIHP15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 434,00
(ekskl. moms)
Kr. 542,50
(inkl. moms)
Tilføj 100 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 900 enhed(er) afsendes fra 18. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 8,68 | Kr. 434,00 |
| 100 - 200 | Kr. 8,159 | Kr. 407,95 |
| 250 - 450 | Kr. 7,677 | Kr. 383,85 |
| 500 - 1200 | Kr. 7,48 | Kr. 374,00 |
| 1250 + | Kr. 7,293 | Kr. 364,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4991
- Producentens varenummer:
- SIHP15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 304mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.24mm | |
| Bredde | 9.96 mm | |
| Længde | 27.69mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 304mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.24mm | ||
Bredde 9.96 mm | ||
Længde 27.69mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E seriens Power MOSFET har TO-220AB hustype med 13 A drænstrøm.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 7.5 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V TO-220, EF