ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AEC-Q101 AG191FLD3HRBTL

ROHM Power MOSFET er designet til højtydende anvendelser og giver fremragende effektivitet med en maksimal drain-source-spænding på 60 V og en kontinuerlig drain-strøm på 80 A. Denne enhed er designet til krævende automobilsystemer og har lav modstand ved tænding, hvilket sikrer reduceret effekttab og forbedret termisk styring. Dens robuste konstruktion omfatter AEC-Q101-kvalificering, hvilket gør den velegnet til brug i barske bilmiljøer. Med en flerdimensionel termisk modstandsdygtighed håndterer denne MOSFET effektivt termisk stress og sikrer pålidelighed under varierende driftsforhold. AG191FLD3HRB er ideel til teknikere, der søger en pålidelig komponent i højeffektive anvendelser, og den skiller sig ud for sin ydeevne og driftsintegritet.

Lav modstand på tænding giver forbedret effektivitet og reducerer varmeudviklingen