ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-438
- Producentens varenummer:
- AG185FGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 18,11
(ekskl. moms)
Kr. 22,638
(inkl. moms)
Tilføj 70 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 9,055 | Kr. 18,11 |
| 20 - 48 | Kr. 7,96 | Kr. 15,92 |
| 50 - 198 | Kr. 7,175 | Kr. 14,35 |
| 200 - 998 | Kr. 5,775 | Kr. 11,55 |
| 1000 + | Kr. 5,64 | Kr. 11,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-438
- Producentens varenummer:
- AG185FGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG185FGD3HRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.80 mm | |
| Længde | 10.50mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie AG185FGD3HRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.80 mm | ||
Længde 10.50mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til brug i biler. Denne enhed er skræddersyet til at give effektiv omskiftning med en maksimal drain-source-spænding på 40 V og en kontinuerlig drain-strøm på 80 A. Den har en lav modstand ved tænding, hvilket sikrer minimalt effekttab under drift, hvilket bidrager til forbedret termisk styring og ydeevne i krævende miljøer. Med en effekttabskapacitet på 96 W er denne MOSFET velegnet til forskellige anvendelser, der kræver pålidelig og robust ydeevne. Dens blyfri belægning og RoHS-overholdelse fremhæver forpligtelsen til miljøvenlig produktion. Denne del er AEC-Q101-kvalificeret, hvilket sikrer, at den opfylder de strenge bilstandarder for pålidelighed og sikkerhed.
Lav modstand på 3,2 mΩ maksimerer effektiviteten og reducerer varmeudviklingen
Mærket til en kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A, velegnet til robuste anvendelser
Giver en høj effekttabskapacitet på 96 W til krævende opgaver
Designet til en maksimal drain-source-spænding på 40 V, der sikrer alsidighed i anvendelser
AEC Q101-kvalificeret, der sikrer høj pålidelighed i bilindustrien
Blyfri belægning og RoHS-overholdelse afspejler miljøbevidst produktion
Velegnet til forskellige motorsystemer, der forbedrer systemets ydeevne og levetid
Har en kompakt DPAK-pakke til effektiv udnyttelse af pladsen på printkortdesign
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3L08DBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben AG194FPD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3L08CBLHRB AEC-Q101
