ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er -30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E07BBJHRB AEC-Q101 RD3E07BBJHRBTL
- RS-varenummer:
- 687-470
- Producentens varenummer:
- RD3E07BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 13,56
(ekskl. moms)
Kr. 16,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 6,78 | Kr. 13,56 |
| 20 - 48 | Kr. 5,99 | Kr. 11,98 |
| 50 - 198 | Kr. 5,38 | Kr. 10,76 |
| 200 - 998 | Kr. 4,33 | Kr. 8,66 |
| 1000 + | Kr. 4,245 | Kr. 8,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-470
- Producentens varenummer:
- RD3E07BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3E07BBJHRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 5 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 77W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.8 mm | |
| Længde | 10.50mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie RD3E07BBJHRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 5 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 77W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.8 mm | ||
Længde 10.50mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM P-kanals effekt-MOSFET er designet til høj ydeevne i krævende anvendelser. Med en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på ±78 A og en spænding på -30 V er denne MOSFET velegnet til brug i biler og industrielle miljøer, der kræver robust effektivitet. Dens kompakte DPAK-hus muliggør nem integration i forskellige designs, mens den lave modstand ved tænding på 8,5 mΩ reducerer energitabet betydeligt. Produktet er også AEC-Q101-kvalificeret, hvilket sikrer pålidelighed under barske forhold, hvilket gør det til et perfekt valg for designere, der søger komponenter af høj kvalitet og holdbarhed til deres elektroniske anvendelser.
Med lav modstand ved tænding for forbedret effektivitet og reduceret varmeudvikling
Giver et maksimalt effekttab på 77 W til anvendelser med høj effekt
Designet til at modstå et bredt driftstemperaturområde på -55 til +175 °C
AEC Q101-kvalificeret, der sikrer høj pålidelighed til brug i biler
Giver 100 % avalanche-test for øget holdbarhed under belastning
I overensstemmelse med blyfri og RoHS-standarder for miljøvenlig brug
Pakket i DPAK-format for nem montering og integration
Understøtter en pulserende afløbsstrøm på ±156 A til dynamiske belastningsforhold.
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L04BBJHRB AEC-Q101 RD3L04BBJHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101 RD3N045ATTL1
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101 RD3G04BBJHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101 RD3P08BBLHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E08BBJHRB AEC-Q101 RD3E08BBJHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L08BBJHRB AEC-Q101 RD3L08BBJHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101 AG501EGD3HRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG502EED3HRB AEC-Q101 AG502EED3HRBTL
