ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 80 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG086FGD3HRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-456
- Producentens varenummer:
- AG086FGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 31,79
(ekskl. moms)
Kr. 39,738
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 15,895 | Kr. 31,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-456
- Producentens varenummer:
- AG086FGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | AG086FGD3HRB | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Længde | 10.50mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.80 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie AG086FGD3HRB | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Længde 10.50mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.80 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET er designet til højtydende anvendelser med en robust konstruktion, der sikrer pålidelighed og effektivitet. Med en maksimal drain-source-spænding på 40 V og i stand til at håndtere kontinuerlige strømme op til 80 A er denne enhed en optimal løsning til automobilsystemer og andre krævende miljøer. Dens lave modstand ved tænding på kun 4,1 mΩ letter minimalt effekttab under drift, hvilket gør den særligt fordelagtig til strømstyringsopgaver. Denne MOSFET, der er fuldt kvalificeret til AEC-Q101, opfylder strenge standarder for biler og sikrer ensartet kvalitet til krævende anvendelser. Produktet understøtter effektiv varmeafledning, hvilket giver mulighed for et maksimalt effekttab på 76 W, samtidig med at det opretholder et bredt driftstemperaturområde.
Lav modstand på 4,1 mΩ forbedrer energieffektiviteten
AEC Q101-kvalifikation sikrer pålidelighed i bilkvalitet
Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A passer til anvendelser med høj belastning
Kapacitet for pulserende afløbsstrøm når 160 A til håndtering af transientbelastning
Understøtter gate-source-spænding på ±20 V for fleksibel styring
Avalanche-klassificeret for øget driftssikkerhed
Termisk modstandsspecifikation hjælper med effektiv varmestyring
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101 RD3N045ATTL1
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N03BAT AEC-Q101 RD3N03BATTL1
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L04BBJHRB AEC-Q101 RD3L04BBJHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101 RD3E07BBJHRBTL
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3L08CBLHRB AEC-Q101 RD3L08CBLHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101 RD3G04BBJHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101 RD3P08BBLHRBTL
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3G08DBKHRB AEC-Q101 RD3G08DBKHRBTL
