Vishay N-Kanal, MOSFET, 124 A 40 V Forbedring, 8 Ben, 1212-F, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-203
- Producentens varenummer:
- SISD4402DN-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 13,31
(ekskl. moms)
Kr. 16,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 13,31 |
| 10 - 99 | Kr. 9,05 |
| 100 - 499 | Kr. 6,43 |
| 500 + | Kr. 5,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-203
- Producentens varenummer:
- SISD4402DN-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 124A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | 1212-F | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0031Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 124A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype 1212-F | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0031Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 3.3mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N-kanal MOSFET er bygget til højeffektiv strømkonvertering og styring i krævende elektroniske systemer. Den sikrer robust ydeevne med omfattende test, samtidig med at den opretholder overensstemmelse med miljøstandarder. dens alsidighed gør den velegnet til anvendelser, der kræver pålidelig ensretning, kompakte DC/DC-løsninger og præcis motordrevstyring.
Giver 100 % Rg- og UIS-test for gennemprøvet pålidelighed
Sikrer overholdelse af RoHS for miljøsikkerhed
Leverer halogenfri konstruktion for miljøvenligt design
Understøtter synkron ensretning for effektiv strømkonvertering
Giver mulighed for styring af motordrev med pålidelig skifteydeevne
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 85 A 60 V Forbedring 1212-F, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 59 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -136.7 A -20 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 65 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET