Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 322 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIEH3812EW

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 46,23

(ekskl. moms)

Kr. 57,79

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 +Kr. 46,23

*Vejledende pris

RS-varenummer:
736-346
Producentens varenummer:
SIEH3812EW-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

322A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPAK 8 x 8 L

Serie

SIEH3812EW

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00175Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

154nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

417W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

8mm

Bredde

8mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Vishay Power MOSFET leverer fremragende ydeevne i højeffektive anvendelser med et N-kanal-design, der understøtter en betydelig kontinuerlig afløbsstrøm, ideel til avancerede energistyringsløsninger.

Fuldt blyfri (Pb) og halogenfri konstruktion for miljøvenlighed

100 % testet for R og UIS for at garantere pålidelighed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.