Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.2 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-89, OptiMOS 3 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 110-7170
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-979
- Producentens varenummer:
- BSS606NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 167,40
(ekskl. moms)
Kr. 209,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 3,348 | Kr. 167,40 |
| 100 - 450 | Kr. 2,093 | Kr. 104,65 |
| 500 - 950 | Kr. 1,982 | Kr. 99,10 |
| 1000 - 2450 | Kr. 1,568 | Kr. 78,40 |
| 2500 + | Kr. 1,379 | Kr. 68,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 110-7170
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-979
- Producentens varenummer:
- BSS606NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-89 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4.5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-89 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4.5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 60 til 80 V
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
N-kanal, logikniveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri belægning
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.