STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- RS-varenummer:
- 111-6482
- Producentens varenummer:
- STW35N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 111-6482
- Producentens varenummer:
- STW35N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -6.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 210W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -6.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 210W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh DM2 serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 mosfet'er giver lav RDS(on) og med den forbedrede diode omvendt genopretningstid for effektivitet er denne serie optimeret til helbro faseskiftende ZVS topologier.
Høj dV/dt kapacitet for forbedret pålidelighed af system
AEC-Q101 kvalificeret
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 66 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-263, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5