Infineon N-Kanal, MOSFET, 380 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-1024
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-998
- Producentens varenummer:
- IRLS3034TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 63,36
(ekskl. moms)
Kr. 79,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 666 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 31,68 | Kr. 63,36 |
| 20 - 48 | Kr. 30,105 | Kr. 60,21 |
| 50 - 98 | Kr. 28,875 | Kr. 57,75 |
| 100 - 198 | Kr. 26,89 | Kr. 53,78 |
| 200 + | Kr. 25,32 | Kr. 50,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-1024
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-998
- Producentens varenummer:
- IRLS3034TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 380A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 380W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.65mm | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 380A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 380W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.65mm | ||
Bredde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 40 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 380 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 293 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 400 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 128 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 33 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 173 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET