ROHM N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V, 8 ben, HSMT, RQ3L050GN RQ3L050GNTB

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
133-3297
Producentens varenummer:
RQ3L050GNTB
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

12 A

Drain source spænding maks.

60 V

Kapslingstype

HSMT

Serie

RQ3L050GN

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

86 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.5V

Mindste tærskelspænding for port

1V

Effektafsættelse maks.

14,8 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Længde

3.3mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Bredde

3.1mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

5,3 pF ved 10 V

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

Højde

0.85mm

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM



MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor

Relaterede links