Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIRA90DP-T1-RE3
- RS-varenummer:
- 134-9698
- Producentens varenummer:
- SIRA90DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 52,42
(ekskl. moms)
Kr. 65,525
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 10,484 | Kr. 52,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 134-9698
- Producentens varenummer:
- SIRA90DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 102nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bredde | 5.26 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 102nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Bredde 5.26 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 23.5 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej Si7454FDP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR880BDP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SIR680DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 350.8 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR500DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR450DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 146 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR580DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 77.4 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR570DP-T1-RE3