Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 0.19 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TP0610K Nej TP0610K-T1-E3
- RS-varenummer:
- 152-6382
- Producentens varenummer:
- TP0610K-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 59,55
(ekskl. moms)
Kr. 74,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 50 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 2,382 | Kr. 59,55 |
| 250 - 600 | Kr. 1,903 | Kr. 47,58 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,424 | Kr. 35,60 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,191 | Kr. 29,78 |
| 2500 + | Kr. 1,065 | Kr. 26,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-6382
- Producentens varenummer:
- TP0610K-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TP0610K | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bredde | 2.64 mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TP0610K | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.02mm | ||
Bredde 2.64 mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Halogenfri
Definition
TrenchFET® Power MOSFET
Højside-skift
Lav modstand ved tændt: 6
Lav tærskelværdi: - 2 V (typ.)
Hurtig switching-hastighed: 20 ns (typ.)
Lav indgangskapacitet: 20 pF (typ.)
2000 V ESD-beskyttelse
ANVENDELSER
Drivere: relæer, solenoider, lamper, hamre, display,
Hukommelser, transistorer osv.
Batteridrevne systemer
Strømforsynings-konverterkredsløb
Solid state-relæer
FORDELE
Nemme driftskontakter
Lav offset-spænding (fejl)
Lavspændingsdrift
Højhastighedskredsløb
Let at køre uden buffer
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 0.19 A 60 V Forbedring SOT-23, TP0610K Nej
- Vishay Type P-Kanal 185 mA 60 V Forbedring SOT-23, TP0610K Nej TP0610K-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 530 mA 150 V Forbedring SOT-23, Si2325DS Nej SI2325DS-T1-E3
- Vishay Type P-Kanal 3.1 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2301CDS-T1-E3
- Vishay P-Kanal 2.2 A 20 V SOT-23 SI2301BDS-T1-E3
- Vishay Type P-Kanal 530 mA 150 V Forbedring SOT-23, Si2325DS Nej
- Vishay Type P-Kanal 3.1 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 1.15 A 100 V Forbedring SOT-23, Si2328DS Nej SI2328DS-T1-E3