Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 530 mA 150 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2325DS Nej SI2325DS-T1-E3
- RS-varenummer:
- 710-3263
- Producentens varenummer:
- SI2325DS-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 38,42
(ekskl. moms)
Kr. 48,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 15 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.095 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 7,684 | Kr. 38,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3263
- Producentens varenummer:
- SI2325DS-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 530mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | Si2325DS | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 750mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.02mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 530mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie Si2325DS | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 750mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.02mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 100 V til 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 530 mA 150 V SOT-23 SI2325DS-T1-E3
- Vishay P-Kanal 185 mA 60 V SOT-23 TP0610K-T1-E3
- Vishay P-Kanal 3 3 ben TrenchFET SI2301CDS-T1-E3
- Vishay P-Kanal 2.2 A 20 V SOT-23 SI2301BDS-T1-E3
- Vishay N-Kanal 1 3 ben, SOT-23 SI2328DS-T1-E3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben, SOT-23 SI2302CDS-T1-E3
- Vishay N-Kanal 1.15 A 100 V SOT-23 SI2328DS-T1-E3
- Vishay P-Kanal 185 mA 60 V SOT-23 TP0610K-T1-GE3
