Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.1 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF840S
- RS-varenummer:
- 165-5999
- Producentens varenummer:
- SIHF840STRL-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 7.611,20
(ekskl. moms)
Kr. 9.513,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 9,514 | Kr. 7.611,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5999
- Producentens varenummer:
- SIHF840STRL-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SiHF840S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 850mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SiHF840S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 850mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8.1 A 500 V Forbedring TO-263, SiHF840S Nej SIHF840STRL-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.1 A 250 V Forbedring TO-263, SiHF634S Nej
- Vishay Type N-Kanal 8.1 A 250 V Forbedring TO-263, SiHF634S Nej SIHF634S-GE3
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-263 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-263 Nej STB14NK50ZT4
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840AS Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-263, STP12NM50 Nej
- onsemi Type N-Kanal 15 A 500 V Forbedring TO-263, UniFET Nej