Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SUM70040E
- RS-varenummer:
- 124-2248
- Producentens varenummer:
- SUM70040E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 135,99
(ekskl. moms)
Kr. 169,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 365 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 27,198 | Kr. 135,99 |
| 50 - 120 | Kr. 20,166 | Kr. 100,83 |
| 125 - 245 | Kr. 18,252 | Kr. 91,26 |
| 250 - 495 | Kr. 16,276 | Kr. 81,38 |
| 500 + | Kr. 14,96 | Kr. 74,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-2248
- Producentens varenummer:
- SUM70040E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SUM70040E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SUM70040E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 120 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay N-kanal-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-263, E Series
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 100 A 120 V Forbedring iPB AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET
- onsemi Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263, PowerTrench