Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.259,70

(ekskl. moms)

Kr. 1.574,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 25,194Kr. 1.259,70
100 - 450Kr. 20,634Kr. 1.031,70
500 - 950Kr. 18,70Kr. 935,00
1000 +Kr. 18,233Kr. 911,65

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8289
Producentens varenummer:
SIHB080N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

35A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SIHB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.08Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

227W

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay effekt-MOSFET med hurtig husdiode og 4. generation af E-seriens teknologi har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links