Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.259,70

(ekskl. moms)

Kr. 1.574,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 25,194Kr. 1.259,70
100 - 450Kr. 20,634Kr. 1.031,70
500 - 950Kr. 18,70Kr. 935,00
1000 +Kr. 18,233Kr. 911,65

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8289
Producentens varenummer:
SIHB080N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

35A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SIHB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.08Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

227W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay effekt-MOSFET med hurtig husdiode og 4. generation af E-seriens teknologi har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links