Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB Nej SIHB085N60EF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.716,95

(ekskl. moms)

Kr. 2.146,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.000 enhed(er) afsendes fra 07. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 34,339Kr. 1.716,95
100 - 450Kr. 28,089Kr. 1.404,45
500 - 950Kr. 23,90Kr. 1.195,00
1000 +Kr. 21,496Kr. 1.074,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8291
Producentens varenummer:
SIHB085N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Serie

SIHB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.084Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Effektafsættelse maks. Pd

184W

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay EF-serien strømforsyning MOSFET med fast body diode og 4 generation E-serie teknologi. Den har reduceret skifte- og ledningstab og anvendes i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektion

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links