Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.1 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF634S
- RS-varenummer:
- 165-6088
- Producentens varenummer:
- SIHF634S-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 290,20
(ekskl. moms)
Kr. 362,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,804 | Kr. 290,20 |
| 100 - 200 | Kr. 5,456 | Kr. 272,80 |
| 250 - 450 | Kr. 4,934 | Kr. 246,70 |
| 500 - 1200 | Kr. 4,644 | Kr. 232,20 |
| 1250 + | Kr. 4,347 | Kr. 217,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6088
- Producentens varenummer:
- SIHF634S-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Serie | SiHF634S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Serie SiHF634S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8.1 A 250 V Forbedring TO-263, SiHF634S Nej SIHF634S-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.1 A 500 V Forbedring TO-263, SiHF840S Nej
- Vishay Type N-Kanal 8.1 A 500 V Forbedring TO-263, SiHF840S Nej SIHF840STRL-GE3
- Vishay Type N-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, SUM60020E Nej
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-263, EF Nej
- Vishay Type N-Kanal 9 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF630S Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.2 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF620S Nej
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB22N60EF Nej
