Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3 Nej

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 14.180,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.725,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 2,836Kr. 14.180,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6655
Producentens varenummer:
BSC520N15NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

52mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.7nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.1 mm

Længde

5.35mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links