Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P

RS-varenummer:: 165-6879
Producentens varenummer:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 11.175,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.970,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 05. marts 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 2,235	Kr. 11.175,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-6879
Producentens varenummer:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	TSDSON
	Serie	OptiMOS P
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	13.4mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	43.2nC
	Gennemgangsspænding Vf	-1.1V
	Effektafsættelse maks. Pd	69W
	Portkildespænding maks.	-25V, +25V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.4mm
	Bredde	3.4mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype TSDSON
	Serie OptiMOS P
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 13.4mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43.2nC
	Gennemgangsspænding Vf -1.1V
	Effektafsættelse maks. Pd 69W
	Portkildespænding maks. -25V, +25V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.4mm
	Bredde 3.4mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 40 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ086P03NS3EGATMA1

Denne MOSFET er en P-kanalforbedringsenhed, der er designet til omskiftning med høj strømstyrke i kompakte overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende elektroniske miljøer, og den er bygget til at håndtere betydelige afløbsstrømme og effekttab. Pakken er en 8-benet TSDSON med lav profil til effektiv printkortmontering og termisk ydeevne.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding reducerer ledningstab under høje strømme
• 40 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter omskiftning af kraftig belastning
• 69 W maks. effekttab muliggør højere effekthåndtering
• 43.2 nC typisk gate-opladning balancerer skiftehastighed og drevindsats
• 25 V gate-tolerance giver robuste gate-drivermarginer
• 30 V drain‐source-klassificering passer til systemdesign med moderat spænding

Anvendelser

• Velegnet til effektkonverteringsmoduler med belastningspunkt
• Ideel til synkrone buck-omformere
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb i strømsystemer
• Kan bruges til styring af motor-driver-low-side/strømvejen
• Velegnet til telekommunikations- og serverstrømskinner

Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og passer til brede variationer i omgivelser og forbindelser.

Hvor mange ben og hvilken monteringsmetode bruger den?

Enheden bruger et 8-benet bundareal og er beregnet til overflademontering i et TSDSON-hus.

Hvilke elektriske egenskaber begrænser ledningstab?

Enhedens maksimale drain-source-modstand er 13,4 mΩ, hvilket regulerer spændingsfald og effektivitet i tændt tilstand.

Hvilke hensyn til portstyring er relevante for koblingsdesign?

Med en typisk gate-ladning på 43,2 nC og en maksimal gate-source-klassificering på 25 V skal drevkredsløb forsyne tilstrækkelig opladning, mens de befinder sig inden for spændingsgrænserne.