Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR Nej
- RS-varenummer:
- 165-7259
- Producentens varenummer:
- SI1012CR-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.833,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.292,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,611 | Kr. 1.833,00 |
| 6000 + | Kr. 0,596 | Kr. 1.788,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-7259
- Producentens varenummer:
- SI1012CR-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 630mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-75 | |
| Serie | Si1012CR | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.86 mm | |
| Længde | 1.68mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 630mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-75 | ||
Serie Si1012CR | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.86 mm | ||
Længde 1.68mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 630 mA 20 V SC-75 SI1012CR-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 200 mA 20 V SC-75 SI1032R-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 200 mA 20 V SC-75 SI1032X-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 370 mA 60 V, SC-70 SI1926DL-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 530 mA 20 V, SC-89 SI1062X-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 30 A 6 V, PowerPAK SC-75 SIB4316EDK-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 1 PowerPAK SC-75 SIB452DK-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 5 6 ben, SC-75 SIB406EDK-T1-GE3
