Vishay N-Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR
- RS-varenummer:
- 787-9005
- Producentens varenummer:
- SI1012CR-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 20 enheder)*
Kr. 38,60
(ekskl. moms)
Kr. 48,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 1,93 | Kr. 38,60 |
| 200 - 480 | Kr. 1,347 | Kr. 26,94 |
| 500 - 980 | Kr. 1,197 | Kr. 23,94 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,047 | Kr. 20,94 |
| 2000 + | Kr. 1,025 | Kr. 20,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9005
- Producentens varenummer:
- SI1012CR-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 630mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | Si1012CR | |
| Emballagetype | SC-75 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 860μm | |
| Længde | 1.68mm | |
| Højde | 800μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 630mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie Si1012CR | ||
Emballagetype SC-75 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 860μm | ||
Længde 1.68mm | ||
Højde 800μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 630 mA 20 V Forbedring SC-75, Si1012CR
- Vishay N-Kanal 210 mA 20 V Forbedring SC-75, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 5.1 A 20 V Forbedring SC-75, SiB406EDK
- Vishay N-Kanal 6 A 6 V SIB
- Vishay Type P-Kanal 190 A 60 V Forbedring SC-75, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 31 A 40 V Forbedring SC-70, SIA
- Vishay N-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring SC-70, ThunderFET
- Vishay N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring SC-70-6L, SIA