Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-75, Si1012CR Nej SI1012CR-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 22,60

(ekskl. moms)

Kr. 28,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 - 180Kr. 1,13Kr. 22,60
200 - 480Kr. 0,786Kr. 15,72
500 - 980Kr. 0,70Kr. 14,00
1000 - 1980Kr. 0,61Kr. 12,20
2000 +Kr. 0,599Kr. 11,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9005
Producentens varenummer:
SI1012CR-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

630mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SC-75

Serie

Si1012CR

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.1Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

240mW

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.3nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

1.68mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.8mm

Bredde

0.86 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links