Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-75, SiB406EDK Nej SIB406EDK-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 64,70

(ekskl. moms)

Kr. 80,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 3,235Kr. 64,70
200 - 480Kr. 2,491Kr. 49,82
500 - 980Kr. 2,267Kr. 45,34
1000 - 1980Kr. 1,945Kr. 38,90
2000 +Kr. 1,747Kr. 34,94

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1247
Producentens varenummer:
SIB406EDK-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.1A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

SiB406EDK

Emballagetype

SC-75

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

63mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

10W

Portkildespænding maks.

12 V

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.8mm

Længde

1.7mm

Bredde

1.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links