Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.1 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-75, SiB406EDK Nej
- RS-varenummer:
- 165-7263
- Producentens varenummer:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 4.437,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.547,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,479 | Kr. 4.437,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-7263
- Producentens varenummer:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | SiB406EDK | |
| Emballagetype | SC-75 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 63mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 10W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie SiB406EDK | ||
Emballagetype SC-75 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 63mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.5nC | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 10W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 1.7mm | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.1 A 20 V Forbedring SC-75, SiB406EDK Nej SIB406EDK-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 210 mA 20 V Forbedring SC-75, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 630 mA 20 V Forbedring SC-75, Si1012CR Nej
- Vishay Type N-Kanal 210 mA 20 V Forbedring SC-75, TrenchFET Nej SI1032R-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 630 mA 20 V Forbedring SC-75, Si1012CR Nej SI1012CR-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 200 mA 20 V SC-75 SI1032X-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 6 A 6 V SIB Nej SIB4316EDK-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 3.9 A 30 V Forbedring SC-88, Si1416EDH Nej