Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 166-1112
- Producentens varenummer:
- IRF7104PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 95 enheder)*
Kr. 801,61
(ekskl. moms)
Kr. 1.002,06
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 380 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 95 - 95 | Kr. 8,438 | Kr. 801,61 |
| 190 - 380 | Kr. 6,835 | Kr. 649,33 |
| 475 - 855 | Kr. 6,329 | Kr. 601,26 |
| 950 - 2280 | Kr. 5,907 | Kr. 561,17 |
| 2375 + | Kr. 5,485 | Kr. 521,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-1112
- Producentens varenummer:
- IRF7104PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 400mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 400mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET 12 V til 20 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 20 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 20 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej IRF7104TRPBF
- Infineon Type P-Kanal 2.3 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 2.3 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET Nej IRLML9303TRPBF
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 4.9 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 3.4 A 55 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 4.9 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej IRF7316TRPBF
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 3.4 A 55 V Forbedring SOIC, HEXFET Nej IRF7342TRPBF