Infineon N-Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD053N08N3 G
- RS-varenummer:
- 170-2283
- Producentens varenummer:
- IPD053N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 20.397,50
(ekskl. moms)
Kr. 25.497,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 7.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 8,159 | Kr. 20.397,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-2283
- Producentens varenummer:
- IPD053N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD053N08N3 G | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 7.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD053N08N3 G | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 7.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon MOSFET
Infineon TO-252-3 overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en modstand fra en drænkilde på 5,3 Mohm ved en gate-kildespænding på 10 V. MOSFET har kontinuerlig drænstrøm på 90 A. Den har en maksimal gate-kildespænding på 20 V og en drænkildespænding på 80 V. Den har et maksimalt effekttab på 150 W. MOSFET har en minimum og en maksimal drivspænding på henholdsvis 6 V og 10 V. Den er optimeret til lavere skift og ledetab. MOSFET'en håndterer de mest udfordrende opgaver og giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Den er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed i den skærpede næste generations spændingsreguleringsstandarder inden for computeranvendelse. MOSFET giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• dobbeltsidet køling
• fremragende gate-opladning x RDS(ON)-produkt (FOM)
• blyfri (Pb) belægning
• lav parasitisk selvinduktion
• lav profil (<0, 7 mm)
• driftstemperaturområde mellem -55 °C og 175 °C.
• optimeret teknologi til DC-DC-konvertere
• fremragende termisk modstand
Anvendelsesområder
• AC-DC
• adapter
• DC-DC
• LED
• Motorstyring
• pc-strøm
• Server-strømforsyninger
• SMPS
• Sol
• telekommunikation
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC