Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD068N10N3 G Nej
- RS-varenummer:
- 170-2284
- Producentens varenummer:
- IPD068N10N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 14.872,50
(ekskl. moms)
Kr. 18.590,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 17.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 5,949 | Kr. 14.872,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-2284
- Producentens varenummer:
- IPD068N10N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPD068N10N3 G | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bredde | 7.47 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPD068N10N3 G | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bredde 7.47 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon MOSFET
Infineon PG-TIL-252-3 N-kanal MOSFET til overflademontering er et nyt aldersprodukt med en modstand fra en drænkilde på 6,8 Mohm ved en gate-kildespænding på 10 V. MOSFET har kontinuerlig drænstrøm på 90 A. Den har en maksimal gate-source-spænding på 20 V og drain-source-spænding på 100 V. Den har et maksimalt effekttab på 71 W. MOSFET har en minimum og en maksimal drivspænding på henholdsvis 6 V og 10 V. Den er optimeret til lavere skift og ledetab. MOSFET giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• produkter, der er nemme at designe
• Miljøvenlig
• fremragende gate-opladning x RDS(on)-produkt (FOM)
• fremragende skifteevne
• Halogenfri
• højeste effekttæthed
• Øget effektivitet
• blyfri (Pb) belægning
• mindre parallelkobling påkrævet
• driftstemperaturområde mellem -55 °C og 175 °C.
• mindste pladsforbrug på kort
• meget lav QG og Qgd
• verdens laveste RDS (til)
Anvendelsesområder
• klasse D lydforstærkere
• isolerede DC-DC-konvertere (telekommunikations- og datakommunikationssystemer
• motorstyring til 48V-80V systemer (private køretøjer, el-værktøj, lastbiler)
• O-ringskontakter og automatsikringer i 48 V systemer
• synkron ensretter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 90 A 100 V TO-252, OptiMOS™ 3 IPD068N10N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 80 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD053N08N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD036N04LGBTMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N03S4L02ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N04S4L04ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 5 IPD025N06NATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 100 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N10S4L06ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N03S4L03ATMA1
