Infineon N-Kanal, MOSFET, 90 A 100 V, 3 ben, DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD068N10N3GATMA1

Infineon PG-TO-252-3 overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildens resistens på 6,8 mobhm ved en gate-source spænding på 10 V. MOSFET har kontinuerlig drænstrøm på 90A. Den har en maksimal gate-kildespænding på 20 V og en drænkildespænding på 100 V. Den har en maksimal effekt på 150 W. MOSFET har en min. og en maksimal kørespænding på henholdsvis 6 V og 10 V. Den er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

• Nem at designe produkter
• Miljøvenlig
• Excellent gate charge x R DS (on) produkt (FOM)
• Fremragende skiftefunktion
• Halogenfri
• Højeste effekttæthed
• Ideel til højfrekvensomskiftning og synkron rektifikation
• Øget effektivitet
• Ledning (Pb) fri belægning
• Mindre parallelkobling påkrævet
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.
• Det mindste forbrug af plads på brættet
• Meget lav Qg og Qgd
• Verdens laveste RDS (tændt)

• Klasse D audioforstærkere
• Isolerede DC-DC konvertere (telekommunikations- og datakommunikationssystemer)
• Motorstyring til 48V-80V systemer (køretøjer til husholdningsbrug, el-værktøj, trucks)
• O-ringskontakter og strømafbrydere i 48 V systemer
• Synkront ensretter

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.