Toshiba Type N-Kanal, Felteffekttransistor, 4.2 A 20 V Forbedring, 6 Ben, UF, SSM6K403TU AEC-Q101

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
171-2405
Producentens varenummer:
SSM6K403TU
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

Felteffekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.2A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

UF

Serie

SSM6K403TU

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

66mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

1.7mm

Højde

0.7mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TH
1,5 V drev

Lav ON-modstand: Ron = 66 mΩ (maks.) (ved VGS = 1,5)

Ron = 43 mΩ (maks.) (ved VGS = 1,8 V)

Ron = 32 mΩ (maks.) (ved VGS = 2,5 V)

Ron = 28 mΩ (maks.) (ved VGS = 4,0 V)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.