Toshiba Type N-Kanal, Felteffekttransistor, 4.2 A 20 V Forbedring, 6 Ben, UF, SSM6K403TU AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 58,275

(ekskl. moms)

Kr. 72,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.400 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 75Kr. 2,331Kr. 58,28
100 - 475Kr. 2,032Kr. 50,80
500 - 975Kr. 1,807Kr. 45,18
1000 +Kr. 1,595Kr. 39,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2490
Producentens varenummer:
SSM6K403TU
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

Felteffekttransistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.2A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

UF

Serie

SSM6K403TU

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

66mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.7mm

Længde

1.7mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TH
1,5 V drev

Lav ON-modstand: Ron = 66 mΩ (maks.) (ved VGS = 1,5)

Ron = 43 mΩ (maks.) (ved VGS = 1,8 V)

Ron = 32 mΩ (maks.) (ved VGS = 2,5 V)

Ron = 28 mΩ (maks.) (ved VGS = 4,0 V)

Relaterede links