Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 3.7 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRFI730G

RS-varenummer:: 178-0848
Producentens varenummer:: IRFI730GPBF
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 3.7 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRFI730G

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 484,70

(ekskl. moms)

Kr. 605,90

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 9,694	Kr. 484,70

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-0848
Producentens varenummer:: IRFI730GPBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.7A
	Drain source spænding maks. Vds	400V
	Serie	IRFI730G
	Emballagetype	TO-220
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	38nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	35W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.6V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	4.8mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	10.3mm
	Højde	9.8mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.7A
	Drain source spænding maks. Vds 400V
	Serie IRFI730G
	Emballagetype TO-220
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 35W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.6V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 4.8mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 10.3mm
	Højde 9.8mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Vishay IRFI730G seriens Power MOSFET, 400 V drain source spænding, 3,7 A maksimal kontinuerlig drain strøm - IRFI730GPBF

Denne effekt-MOSFET er en højspændings koblingsenhed, der bruges til at styre strøm i strømkonverterings- og koblingskredsløb. Det er en N-kanal-transistor med forbedringstilstand, der er designet til montering gennem hul i TO-220-pakker og velegnet til anvendelser, der kræver høj drain-til-kilde-spændingstolerance og standard gate-driverarrangementer med enkelt forsyning.

Egenskaber og fordele:

• 400 V maksimal drain-til-kilde-spænding understøtter højspændingsswitching • 3,7 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør moderat belastningshåndtering • 35 W maksimal effekttab muliggør vedvarende termisk belastning • 1 Ω maks. Rds(on) hjælper med forudsigelige ledningstab • 38 nC typisk gate-ladning for pålidelig omskiftning • 20 V gate-source-klassificering giver bred drevetolerance

Anvendelser

• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr • Ideel til gate-trin med motordrev i automatiseringssystemer • Anvendes til udskiftning af højspændingsrelæer i kontrolpaneler • Kan bruges til snubber eller klemmekredsløb på linjesiden • Velegnet til bordstrømforsyninger og laboratoriestrømmoduler

Hvilke monteringsbetingelser påvirker termisk styring?

Formatet med gennemgående hul TO-220 giver mulighed for direkte fastgørelse af kølelegeme til pakkefanen for forbedret varmeoverførsel og reduceret samlingstemperatur.

Hvordan opfører enheden sig ved ekstreme omgivelsestemperaturer?

Transistoren fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med bred termisk variation, samtidig med at de elektriske egenskaber opretholdes.

Hvad er den typiske indvirkning af koblingsladning på drevkredsløb?

38 nC gate-ladning definerer den energi, der kræves fra driveren, og påvirker koblingshastigheds- og driverstrømkrav under overgange.

Er der grænser for portdrev for at forhindre skader?

Den maksimale gate-source-spænding er 20 V, som ikke må overskrides for at undgå gate-oxid-belastning og potentiel enhedsfejl.