Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3910
- Producentens varenummer:
- SQA405EJ-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 25,85
(ekskl. moms)
Kr. 32,30
(inkl. moms)
Tilføj 500 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 825 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 1,034 | Kr. 25,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3910
- Producentens varenummer:
- SQA405EJ-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SC-70-6L | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.035Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13.6W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SC-70-6L | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.035Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13.6W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Længde 2.2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 40 V Forbedring SC-70-6L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 2.68 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 30 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SC-70-6L, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
