Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 191,55

(ekskl. moms)

Kr. 239,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
50 - 90Kr. 3,831
100 - 490Kr. 3,601
500 - 990Kr. 3,385
1000 +Kr. 2,974

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3901P
Producentens varenummer:
SiA106DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SC-70-6L

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.0185Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.9nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.2mm

Højde

1mm

Bredde

1.35 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss

Relaterede links