Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3926
- Producentens varenummer:
- SQM40016EM_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 118,33
(ekskl. moms)
Kr. 147,91
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 23,666 | Kr. 118,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3926
- Producentens varenummer:
- SQM40016EM_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 250A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.001Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 245nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Højde | 11.3mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 250A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.001Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 245nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Højde 11.3mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- TW
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 250 A 40 V Forbedring TO-263, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-263, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 24.5 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 14.4 A 250 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 30 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101