Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 60 A 30 V, 8 ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET SIRC06DP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 178-3940
- Producentens varenummer:
- SIRC06DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 202,90
(ekskl. moms)
Kr. 253,625
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 8,116 | Kr. 202,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3940
- Producentens varenummer:
- SIRC06DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 60 A | |
| Drain source spænding maks. | 30 V | |
| Kapslingstype | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. | 4 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 1V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2.1V | |
| Effektafsættelse maks. | 50 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -16 V, +20 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 38,5 nC ved 10 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 5.99mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Højde | 1.07mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Gennemgangsspænding for diode | 0.7V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 60 A | ||
Drain source spænding maks. 30 V | ||
Kapslingstype PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. 4 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 1V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2.1V | ||
Effektafsættelse maks. 50 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -16 V, +20 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 38,5 nC ved 10 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 5.99mm | ||
Bredde 5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Højde 1.07mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Gennemgangsspænding for diode 0.7V | ||
RoHS Status: Ikke relevant
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
SkyFET® med monolitisk Schottky-diode
SkyFET® med monolitisk Schottky-diode
Relaterede links
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 30 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIRC06DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 14.2 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N-Kanal 80 A 25 V 1212, TrenchFET SiSS02DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal Enkelt 40 A 30 V PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 24 8 ben TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3