Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101 BSS138NH6327XTSA2
- RS-varenummer:
- 178-7472
- Producentens varenummer:
- BSS138NH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.026,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.284,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 273.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,342 | Kr. 1.026,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,325 | Kr. 975,00 |
| 15000 + | Kr. 0,304 | Kr. 912,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-7472
- Producentens varenummer:
- BSS138NH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS138NH6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS138NH6433XTMA1
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V Depletion SOT-23, SIPMOS® BSS159NH6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS7728NH6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® SN7002NH6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 110 mA 240 V SOT-23, SIPMOS® BSS131H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V SOT-23, SIPMOS® BSS127H6327XTSA2
- Infineon P-Kanal 330 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS83PH6327XTSA1
