Vishay 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3.9 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej

RS-varenummer:: 180-7282
Producentens varenummer:: SI3585CDV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3.9 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 4.344,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.430,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 16. april 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,448	Kr. 4.344,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7282
Producentens varenummer:: SI3585CDV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N, Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.9A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	12 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	3.2nC
	Effektafsættelse maks. Pd	1.4W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	Dobbelt
	Højde	1mm
	Bredde	1.65 mm
	Længde	3.05mm
	Standarder/godkendelser	No
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N, Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.9A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype TSOP
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 12 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.2nC
	Effektafsættelse maks. Pd 1.4W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration Dobbelt
	Højde 1mm
	Bredde 1.65 mm
	Længde 3.05mm
	Standarder/godkendelser No
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret 2-kanals MOSFET (både P- og N-kanaler) er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V. MOSFET'en har en drænkildemodstand på 58 Mohm ved en gate-source-spænding på 4,5 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,9 A og 2,1 A. Den har en maksimal nominel effekt på 1,4 W og 1,3 W. Den er blevet optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• DC/DC-konvertere

• Drivere: Motor, magnetventil, relæ

• belastningsafbryder til bærbare enheder

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet